三菱電機、SiCパワー半導体で未来を拓く？～省エネ技術と国内生産強化、脱炭素社会への貢献～三菱電機SiCパワー半導体の革新：電動化、省エネ化、そして国内生産体制の強化

公開日: 2025-09-21

最終編集: 2025-09-27

三菱電機が、2050年カーボンニュートラル実現に向け、パワー半導体新工場を熊本に建設！SiC技術でEV化を加速、省エネ家電も進化。2600億円を投資し、国内生産体制を強化。地元経済活性化、人材育成にも貢献。脱炭素社会を支える三菱電機の革新的な取り組みに注目！

📘 この記事で分かる事！

💡 三菱電機は、パワーデバイス技術革新を通じて、省エネと環境保護に貢献しています。

💡 電動化と省エネ化を支えるSiCパワー半導体技術は、自動車産業の変革を加速させます。

💡 国内生産体制の強化と地域社会との連携により、安定供給と地域経済の活性化を目指します。

それでは、三菱電機のパワー半導体技術革新について、その詳細を掘り下げていきましょう。

パワー半導体技術革新への道：三菱電機の挑戦

2050年カーボンニュートラル、三菱電機の貢献は？

パワー半導体技術で脱炭素化を支援。

三菱電機のパワー半導体技術革新は、環境負荷低減と省エネルギー化に貢献しています。

SiC技術を活用し、電力損失を低減、電力効率を向上させることに注力しています。

世界で注目されるパワーデバイスで、脱炭素社会の実現に貢献する

✅ 三菱電機のパワーデバイス製作所熊本事業所では、電力損失を減らし電力効率を高めるパワーデバイス（主にSiC）を製造しており、環境保護と省エネに貢献している。

✅ 向井さんはSiCなどの部材調達を担当し、SiCの小型化による省エネ効果に可能性を感じており、最先端技術に触れる喜びと社会貢献への責任感を持って業務に取り組んでいる。

✅ 山田さんは製造装置のメンテナンスを担当し、自身が関わった製品が社会で使われている実感を得ることでモチベーションを高め、製品の安定供給に貢献している。

SiCの小型化による省エネ効果は素晴らしいですね。

最先端技術に触れ、社会貢献できる喜びは、仕事へのモチベーションを大いに高めるでしょう。

2050年のカーボンニュートラル実現に向け、再生可能エネルギーと省エネルギー化が不可欠であり、パワーエレクトロニクス技術が重要な役割を担っています。

三菱電機は、パワー半導体技術のリーディングカンパニーとして、この分野で技術革新を続けてきました。

1967年に熊本に半導体工場を設立して以来、パワー半導体産業を牽引し、現在も熊本と福岡で、家電、鉄道、電気自動車など幅広い分野で電気を効率良く変換するパワー半導体を生産しています。

三菱電機のパワーデバイスは、自社製品への搭載を通じて豊富な知見と高い市場信頼性を獲得しており、エレベーターなどの身近な製品から、社会インフラまで幅広い分野で貢献しています。

三菱電機、素晴らしいですね！まさに、未来を創る企業と言えるでしょう。省エネは、コスト削減にもつながる。株、買わなきゃ！

三菱電機のEV/家電/エネルギー分野での革新は何？

SiCデバイス、DIPIPM、低損失IGBTの開発。

電動化の流れに対応するため、三菱電機はSiCデバイスを搭載した「J3シリーズ」を開発し、EV・PHEVの普及を支えています。

小型化、高出力・高効率化の技術革新にも余念がありません。

三菱電機、xEV用SiC／Siパワー半導体モジュールに新製品

✅ 三菱電機は、EV・PHEV用インバーター向けに、小型化を実現したSiC-MOSFETやRC-IGBTを搭載した「J3-T-PM」を開発し、これらを組み合わせた「J3シリーズ」計6製品のサンプル提供を開始する。

✅ この製品は、NEDOの委託研究の成果を活用しており、自動車の電動化を背景に需要が拡大しているパワー半導体の小型化、高出力・高効率化のニーズに応える。

✅ J3シリーズは、xEV用インバーターの小型化に貢献し、幅広い電気容量帯のインバーター設計に対応することで、EV・PHEVの航続距離延伸や電費改善に貢献することを目指す。

EVの普及を支えるSiCデバイスの開発は、まさに時代のニーズに応えるものですね。

省エネ化に貢献するDIPIPMの開発も、私たちの生活を豊かにしてくれるでしょう。

三菱電機は、世界的な自動車の電動化の流れに対応するため、SiCデバイスを搭載した「J3シリーズ」を開発し、EVの普及を支えています。

また、家電製品の省エネ化に貢献するDIPIPM（パワーチップと駆動ICを一体化）の開発も進み、SLIMDIPシリーズを通じて高機能化する家電製品のニーズに対応しています。

再生可能エネルギー分野においては、大電流・高電圧が求められる太陽光発電や風力発電システム向けに、低損失の第7世代IGBTを搭載した製品を展開し、特に2.0kVおよび1.2kV耐圧の製品は高付加価値化に貢献しています。

SiC材料を用いたSBD内蔵MOSFETモジュールや、低損失化が期待されるトレンチ型SiC-MOSFETの開発も進められ、製品信頼性の向上と幅広いアプリケーションへの対応を目指しています。

へえー、スゴいね！でも、あたしはもっともっと、北海道の冬でも安心して乗れるEVが欲しいんだよね。三菱電機さん、頑張って！

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