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日本の半導体製造は復活できるのか?ラピダス(Rapidus)の挑戦とは?次世代半導体の国産化を目指す!ラピダスの技術革新と経済効果

日本が世界を相手に半導体製造で再起を期す!次世代2nm半導体量産を目指すRapidus。官民挙げての巨額投資、IBMとの技術提携、北海道千歳市での工場建設。2025年量産開始へ、技術的課題を乗り越え、国産化で経済安全保障強化へ。地域経済への波及効果も大きく、不動産投資の観点からも注目。成功のカギは、技術革新とビジネス戦略。 未来を切り開く挑戦が始まる。

日本の半導体製造は復活できるのか?ラピダス(Rapidus)の挑戦とは?次世代半導体の国産化を目指す!ラピダスの技術革新と経済効果

📘 この記事で分かる事!

💡 ラピダスは、2nmロジック半導体製造を目指し、IBMやimecと連携して技術開発を進めています。

💡 北海道千歳市に工場を建設し、地域経済に大きな影響を与え、不動産市場にも変化をもたらそうとしています。

💡 政府の支援を受け、量産化に向けた課題を克服し、日本の半導体産業の復活を目指しています。

日本の半導体産業の未来を切り開くラピダスの挑戦。

その技術革新、経済効果、そして未来への展望について、これから詳しく見ていきましょう。

日本の半導体製造への挑戦:ラピダスの誕生とビジョン

Rapidus、2nm半導体量産開始はいつ?

2025年4月1日開始を目指す!

日本の半導体産業の未来を担うラピダス。

2022年に設立され、2nmチップの量産化を目指しています。

その技術開発と官民一体となった取り組みについてご紹介します。

2nm先端ロジック半導体の国産目指すRapidus、北海道千歳市に製造拠点建設を決定:工場ニュース

公開日:2023/03/02

2nm先端ロジック半導体の国産目指すRapidus、北海道千歳市に製造拠点建設を決定:工場ニュース

✅ Rapidusは、2023年2月28日に次世代半導体の量産体制構築に向けた記者発表を行い、2nmプロセス技術の開発状況などを説明しました。

✅ 2022年8月に設立され、2020年代後半の2nmチップ量産を目指しており、IBMやimecと連携し、技術開発を進めています。

✅ 量産開始は2025年を目標としており、技術開発においては、様々な企業との連携を通じて、最先端の半導体技術の開発を目指しています。

さらに読む ⇒MONOist出典/画像元: https://monoist.itmedia.co.jp/mn/articles/2303/01/news075.html

2020年代後半の2nmチップ量産を目指し、IBMやimecと連携。

多くの企業が出資し、官民一体となって技術開発を進めている点が印象的ですね。

日本が次世代半導体製造で世界をリードすることを目指し、2022年に設立されたRapidusは、2nmロジック半導体の量産化という野心的な目標を掲げています

2025年4月1日に量産開始、2027年には量産体制を確立することを目指し、そのために必要なインフラ整備を北海道千歳市で急ピッチで進めています。

この官民一体のプロジェクトを支えるため、経済産業省は9000億円を超える巨額の支援を決定し、さらには5兆円規模の投資が必要とされています。

Rapidusは、世界最先端のロジック半導体の開発・製造を目指し、国際競争力のある製品の国産化を目標に掲げています。

出資企業には、キオクシア、ソニーグループ、ソフトバンクなど国内大手8社が名を連ね、ベルギーのimecや米IBMと提携し、技術的な目標達成を目指しています。

特に、IBMとの協力を通じて2nm技術の開発を進め、ZTAT(Zero Temperature Adjustment Time) の実現を目指しています。

ふむ、これは面白い。官民一体で巨額の投資をして、世界最先端を目指すとは、まさにミリオネア冥利に尽きる話だ!日本経済の起爆剤になるかもしれんぞ!

技術革新への道:IIM、EUV露光装置、そしてIBMとの連携

ラピダス、2025年量産開始へ!どんな技術で挑む?

EUV露光と2nmプロセス技術で半導体量産。

技術革新の鍵となるのは、IIM、EUV露光装置、そしてIBMとの連携です。

最先端技術を駆使したRapidusの取り組みについて、詳しく見ていきましょう。

国産2nm半導体の生産を目指す日本の半導体メーカー・RapidusがASMLの量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」の設置作業を開始
国産2nm半導体の生産を目指す日本の半導体メーカー・RapidusがASMLの量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」の設置作業を開始

✅ Rapidusが、2nm半導体製造に必要な最先端EUV露光装置「NXE:3800E」をIIM-1に導入し、設置を開始しました。

✅ NXE:3800Eは巨大な装置であり、2024年12月中に設置を完了、2025年4月には2nmプロセスのパイロットライン稼働、2027年からの商用半導体生産を目指します。

✅ 今回の導入は、Rapidusにとって2nm半導体製造における重要な一歩であり、日本の半導体業界の大きな進歩として注目されています。

さらに読む ⇒GIGAZINE(ギガジン)出典/画像元: https://gigazine.net/news/20241220-japan-rapidus-2nm-chips-euv-machine/

EUV露光装置の導入は、2nm半導体製造に向けた大きな一歩ですね。

IBMとの連携によるZTAT実現への期待も高まります。

Rapidusの技術開発は、IIM(イノベーション・インフラストラクチャ・マネジメント)を基盤とし、EUV露光装置を駆使した最先端技術への挑戦です

2024年12月にはASML社製EUV露光装置の導入を発表し、2025年4月1日の量産ライン稼働に向けた準備が加速しています。

IBMとの技術提携は、2nmプロセス技術の開発において不可欠なものとなっており、ZTATを実現するための技術開発が精力的に進められています。

半導体の需要は、デジタル化の進展に伴い、AIやスーパーコンピューターの性能向上に不可欠なものへと変化しており、Rapidusの技術革新は、これらの分野の発展を支える重要な役割を担っています。

いやー、すごいね!最先端って言葉に弱いんだよね。それにしても、2nmって、もう、わけわかんないくらい細かいんでしょ?日本の技術力、ますます楽しみだね!

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北海道千歳市で加速するRapidus経済効果!地価高騰、雇用創出、最大18.8兆円の経済波及効果も。最先端半導体量産化への課題と、日本の未来を担う挑戦に迫る。